晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

CXG1132ER-T2 拥有多项优异的电气和物理特性，确保其在多种应用环境下稳定运行。首先，该晶体管具有较宽的电压范围，集电极-发射极电压可达 30V，适用于多种电源管理及信号放大电路。其电流增益范围广泛（110 - 800），可根据具体应用选择合适的等级，提高电路设计的灵活性。
　　此外，该器件采用 SOT-23 小型封装，具有良好的高频响应和低噪声特性，适合用于音频放大、信号处理等对性能要求较高的场合。其封装材料符合 RoHS 标准，环保无铅，适用于现代电子产品制造。
　　CXG1132ER-T2 还具备较强的热稳定性与抗干扰能力，在高温环境下仍能保持良好的工作状态。其最大功耗为 300mW，能够在相对较高的负载条件下稳定运行。工作温度范围从 -55°C 至 +150°C，适应性强，适用于工业级和消费类电子产品。

CXG1132ER-T2 广泛应用于多个电子领域，包括但不限于：开关电路中的低功率驱动控制、LED 驱动、继电器驱动、音频放大电路、逻辑电平转换、传感器信号放大、DC-DC 转换器以及各种便携式消费电子产品中的信号处理模块。由于其优异的性能和紧凑的封装形式，CXG1132ER-T2 在通信设备、家用电器、汽车电子系统以及工业自动化设备中都有广泛的应用。例如，在微控制器外围电路中，该晶体管常用于驱动负载如 LED、小型继电器或风扇等。在低噪声放大电路中，CXG1132ER-T2 的高增益和低噪声特性使其成为理想的信号放大器件。

BC817-25, 2N3904, MMBT3904, PN2222A