时间：2025/8/18 13:00:47
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CXG1045N-T4是一款由Crenic Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。其封装形式为TO-252（DPAK），适用于表面贴装，便于散热和高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时，最大为6.5mΩ；@Vgs=4.5V时，最大为8.5mΩ
功率耗散（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
CXG1045N-T4采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力（高达75A）使其适用于高功率密度的设计。该器件支持高达±20V的栅极电压，增强了抗电压波动能力，确保了在复杂工作环境下的稳定性。TO-252封装提供了良好的散热性能，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和维修。
此外，CXG1045N-T4具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频开关电源应用。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）进一步提升了高频性能，减少了驱动电路的负担。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于各种严苛的工业和汽车电子环境。
CXG1045N-T4主要应用于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关。其优异的导通特性和高频响应能力也使其成为高性能电源模块和便携式电子设备的理想选择。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动工具、LED照明驱动等应用。
SiSS1045N, CSD1045N, CXG1045N-T3
