WSI57C45-35T 时间：2025/8/21 3:50:46 阅读：35

WSI57C45-35T 是一款由 Westcode（现属于 IXYS 公司）制造的高功率双极型晶体管（BJT），适用于高功率放大器和开关应用。这款晶体管采用了硅材料制造，具备高可靠性和长寿命，特别适合工作在高电压和大电流条件下的电子系统。WSI57C45-35T 采用 TO-208（也称为 TO-3P）封装，具备良好的散热性能，适合用于工业电源、高频放大器、逆变器以及电机控制等应用。该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO），能够在较高电压下稳定运行。

参数

晶体类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（IC）：15 A
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：450 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：500 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5 V
　　最大功耗（PD）：125 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：在 IC = 2 A 时，典型值为 20 至 100
　　频率响应：过渡频率（fT）为 30 MHz
　　封装类型：TO-208（TO-3P）

特性

WSI57C45-35T 是一款高功率 NPN 晶体管，具备良好的导通特性和高耐压能力。其主要特性包括高集电极-发射极击穿电压（VCEO）为 450 V，使其适用于高压开关和放大电路。该晶体管的最大集电极电流为 15 A，可支持大电流负载的应用，如高频功率放大器、工业电源和电机驱动器。此外，该器件具有较高的最大功耗（125 W），结合其良好的热性能封装，可以有效散热并保持稳定的工作状态。
　　WSI57C45-35T 的电流增益（hFE）在 IC = 2 A 时为 20 至 100，表明其具备良好的电流放大能力，适用于需要高增益的模拟和开关电路。过渡频率（fT）为 30 MHz，使其适用于中高频功率放大应用。该晶体管还具备较强的抗过载能力，可在短时间高负载条件下保持稳定运行。
　　此外，WSI57C45-35T 的封装采用 TO-208 标准，具备良好的机械稳定性和热传导性能，有助于提高器件的长期可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适合在各种恶劣环境条件下使用。

应用

WSI57C45-35T 主要用于需要高功率、高耐压和良好热性能的电子系统中。典型应用包括工业电源、高频功率放大器、逆变器、电机控制器、焊接设备、UPS 系统以及各种高功率开关电路。由于其高 VCEO 和大电流能力，该晶体管非常适合用于需要在高压和大电流条件下工作的电路中。
　　在电源管理方面，WSI57C45-35T 可用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器的开关部分，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。在电机控制应用中，它可以用于 H 桥驱动电路，实现电机的正反转控制和速度调节。此外，该晶体管还可用于音频放大器的输出级，提供高功率音频输出。