类型：NPN 双极性晶体管
　　最大集电极电流：100 mA
　　最大集电极-发射极电压：5 V
　　最大基极-发射极电压：1.5 V
　　最大功耗：300 mW
　　过渡频率（fT）：9 GHz
　　电流增益带宽积（hfe）：在 100 MHz 下为 200
　　封装类型：SOT-343

LNZ9F2V4ST5G 的主要特性之一是其高达 9 GHz 的过渡频率（fT），这使其在射频和微波频率范围内表现出色。该晶体管采用先进的硅工艺制造，确保了良好的高频性能和稳定性。此外，该器件的电流增益带宽积较高，能够在较高的频率下保持良好的增益表现，适用于宽带放大器和高频率振荡器设计。
　　该晶体管的封装形式为 SOT-343，这是一种小型化的表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计，并且具有良好的热性能和机械稳定性。由于其低噪声系数和高线性度，LNZ9F2V4ST5G 常用于低噪声放大器（LNA）和射频接收器前端电路中。
　　该器件的工作温度范围通常为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级温度环境。其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 5 V，适合用于低电压供电的射频电路中。

LNZ9F2V4ST5G 主要应用于射频和微波电路设计中，如低噪声放大器（LNA）、高频放大器、混频器和振荡器。由于其优异的高频性能和良好的增益带宽特性，该晶体管广泛用于无线通信系统、基站设备、卫星通信、测试测量仪器以及射频识别（RFID）系统。
　　在无线基础设施中，该晶体管可用于射频前端模块，提供高增益和低噪声的信号放大。在测试设备中，LNZ9F2V4ST5G 可用于构建高频信号发生器或放大器模块。此外，它还可用于 GPS 接收器、Wi-Fi 模块、蓝牙设备等消费类电子产品中的射频信号处理电路。

BFQ68、BFG21、BFR93A