类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8.5A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：16mΩ（最大值，VGS=10V）
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散（PD）：40W
　　栅极电荷（Qg）：17nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：920pF（典型值）

KPC1013-EL/H具有多项先进的性能特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在VGS=10V的条件下，RDS(on)的最大值为16mΩ，这使得该器件非常适合用于高效率的电源管理应用。其次，该MOSFET具备较高的漏源耐压能力（VDS为100V），可以在高压环境下稳定工作。
　　此外，KPC1013-EL/H采用了TO-252（DPAK）封装形式，这种封装不仅具备良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性和系统集成的便利性。该封装形式的热阻（RθJA）为40W，有助于在高功率工作条件下保持较低的温升，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为17nC，属于中等水平，这使得其在高频开关应用中具有较好的性能平衡。输入电容（Ciss）为920pF，有助于减少高频开关时的驱动损耗，提高整体效率。此外，KPC1013-EL/H的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端温度条件下保持稳定运行，适用于各种工业和车载环境。
　　值得一提的是，KPC1013-EL/H的制造工艺采用了高质量的硅材料和先进的沟槽式MOSFET结构，确保了优异的导通和开关性能。该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够承受一定的瞬态过电压和过电流冲击，提高系统的耐用性和安全性。

KPC1013-EL/H广泛应用于多种电源管理和功率电子系统。例如，在DC-DC转换器中，它可以用作主开关元件，以实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件特别适用于高频率、高效率的同步整流电路和负载开关设计。此外，在电池管理系统中，KPC1013-EL/H可用于控制电池充放电过程，确保系统运行的安全性和稳定性。
　　在工业电源和电机驱动系统中，该MOSFET可用于构建高效率的功率开关电路，实现对电机速度和方向的精确控制。由于其耐高压和高电流能力，KPC1013-EL/H也适用于工业自动化设备、智能家电和UPS（不间断电源）系统等应用场景。
　　另外，在车载电子系统中，该器件可用于汽车电池管理系统、车载充电器和DC-DC转换器等模块，满足车载环境对高可靠性和宽温度范围的要求。

KPC1013-EL/H的替代型号包括SiSS108N、NTMFS4C10N和FDMS86180。