时间：2025/4/28 12:01:49
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CX2016DB19200C0WLLC1-HH是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于电源管理、开关电路和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片适用于工业控制、消费电子以及通信设备等多种场景，支持表面贴装封装形式，便于自动化生产。
类型：N-Channel MOSFET
漏源极击穿电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：1.6mΩ
栅极电荷(Qg)：35nC
输入电容(Ciss)：1780pF
最大工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-Leadless (WLCSP)
工作温度范围：-40℃ to 125℃
CX2016DB19200C0WLLC1-HH的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体能效。
2. 快速开关速度，适合高频操作环境。
3. 高击穿电压，增强了器件在复杂电力环境下的可靠性。
4. 超小型封装设计，非常适合空间受限的应用场合。
5. 提供优异的热性能，确保在高温条件下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这款功率MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电池管理系统(BMS)，用于电动汽车和其他便携式设备。
3. 工业电机驱动与控制。
4. LED驱动器，提供高效的电流调节功能。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 通信基站中的功率分配模块。
7. 消费电子产品中的充电电路。
IRF540N
STP16NF06L
FDP16N6C
AON6212
