PTVSHC1DF18VU 是一款高性能的瞬态电压抑制器(TVS),用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)以及其他过电压瞬态事件的影响。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术,具有低电容、高响应速度和强大的浪涌电流吸收能力。
PTVSHC1DF18VU 专为高速数据线和信号线路设计,能够提供可靠的保护功能而不影响信号完整性。其封装形式通常为 SOD-323(DFN1006-2),非常适合需要小型化解决方案的应用场景。
工作电压:18V
反向关断电压:19.8V
击穿电压:21.6V
最大峰值脉冲电流:37A
箝位电压:31.4V
结电容:10pF
响应时间:1ps
漏电流:1μA(最大值,在 VRWM 下)
封装:SOD-323(DFN1006-2)
PTVSHC1DF18VU 具有以下显著特点:
1. 极低的电容值(10pF),使其非常适合高速数据接口的保护需求。
2. 高速响应时间(1ps),能够迅速抑制瞬态过电压。
3. 强大的浪涌电流承受能力(37A),确保在极端情况下仍能有效保护电路。
4. 小型化封装(SOD-323),节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
6. 宽温度范围支持(-55°C 至 +150°C),适应恶劣的工作环境。
7. 可靠性高,经过严格的测试和验证,适合工业和消费类应用。
PTVSHC1DF18VU 广泛应用于各种需要过电压保护的场合,包括但不限于:
1. USB 接口保护(USB 2.0 和 USB 3.0)。
2. HDMI、DisplayPort 和其他高速数据接口的 ESD 保护。
3. 移动设备中的天线端口保护。
4. 工业通信总线(如 RS-485 和 CAN 总线)的瞬态保护。
5. 汽车电子系统中的信号线保护。
6. 音频和视频设备的输入/输出端口保护。
PESD18VC1BHA, SMAJ18A