CST1265F-1R0M是一种薄膜片式固定电容器,采用薄膜技术制造,具有高可靠性和稳定的电气性能。该型号的电容器通常用于射频和微波电路中,能够提供较低的等效串联电阻(ESR)和优良的高频特性。它适用于各种电子设备中的滤波、耦合和去耦应用,尤其是在对频率稳定性要求较高的场合。
类型:固定电容器
介质材料:聚丙烯
额定电压:50V
标称容量:1.0pF
公差:±5%
工作温度范围:-55℃至+85℃
封装形式:0603英寸
等效串联电阻(ESR):≤0.05Ω
绝缘电阻:≥1000MΩ
频率范围:DC至3GHz
CST1265F-1R0M采用了先进的薄膜技术,确保其具备低损耗和高稳定性的特点。这种电容器在宽广的工作温度范围内表现出优异的性能,能够在高频环境下保持稳定的容量值。此外,由于其小型化的封装设计,非常适合现代电子产品对空间节省的需求。
CST1265F-1R0M还具有良好的抗潮湿能力以及优异的焊接耐热性,这使其在各种恶劣环境条件下都能可靠运行。它的低ESR特性有助于减少信号失真并提高电路效率。
该型号电容器广泛应用于通信设备、无线模块、射频识别(RFID)系统以及医疗电子设备等领域。具体应用场景包括但不限于:
1. 高频滤波器
2. 电源电路中的去耦和旁路
3. 射频放大器中的匹配网络
4. 振荡器和混频器电路
5. 数据传输接口中的信号调理
6. 医疗成像设备中的高频信号处理
CST1265F-1R0K
CST1265F-1R0N
CST1265F-1R0P