时间：2025/5/15 12:19:01
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2N7002K-AU 是一种高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关和放大电路中。它具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性等特性，使其非常适合于各种电源管理和信号处理应用。
该型号是2N7002系列中的改进版本，带后缀 '-AU' 表示其符合汽车级标准，并且经过了更严格的筛选测试，确保在极端环境条件下也能可靠工作。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：300mA
导通电阻：1.8Ω
功耗：450mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-92
2N7002K-AU 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，适合高压电路设计。
2. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
3. 快速开关速度，能够在高频应用中表现出色。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车电子领域。
5. 热稳定性强，能够承受较宽的工作温度范围。
6. 小巧的 TO-92 封装，便于布局和散热管理。
该元器件常用于以下场景：
1. 开关电源中的开关元件。
2. 脉宽调制（PWM）控制器。
3. 数据通信设备中的信号切换。
4. 汽车电子系统中的负载驱动器。
5. 电池保护电路中的过流保护元件。
6. 各种便携式设备中的低功耗控制电路。
2N7000, BSS138, PMV20EN
