时间：2025/12/23 19:10:02
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CST1260F-R82M是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），广泛应用于高频和高效率功率转换领域。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻特性。
其设计适用于工业、通信和消费类电子设备中的各种应用场景，包括开关电源、DC-DC转换器和无线充电等。由于其出色的热特性和电气性能，CST1260F-R82M能够在高温和高负载条件下保持稳定运行。
型号：CST1260F-R82M
类型：增强型场效应晶体管（E-Mode HEMT）
材料：氮化镓（GaN）
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻：82mΩ
栅极电荷：17nC
开关频率：最高支持5MHz
封装形式：TO-252(DPAK)
工作温度范围：-55℃至+150℃
CST1260F-R82M的核心优势在于其采用了高性能的GaN材料，使其具备了以下特点：
1. 极低的导通电阻（82mΩ），从而减少功率损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高达5MHz的工作频率，适合高频应用。
3. 高耐压能力（600V），确保在高压环境下的可靠运行。
4. 小巧的封装尺寸，节省PCB空间，简化设计布局。
5. 出色的热管理性能，即使在高负载条件下也能维持稳定的温度。
6. 内置ESD保护功能，提高整体可靠性。
这些特性使CST1260F-R82M成为新一代高效能功率转换的理想选择。
CST1260F-R82M的主要应用领域包括：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 无线充电模块
4. 光伏逆变器
5. 工业电机驱动
6. 消费类快充适配器
7. LED驱动电路
由于其高频和高效率的特点，这款器件特别适合需要小型化和高性能的设计场景。
CST1260F-R65M
CST1200F-R82M
GXT1260F-R82M
