时间：2025/6/21 16:45:02
阅读：5
CST0630H-R10M 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高频功率晶体管，专为射频和微波应用设计。该器件采用了先进的横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 工艺，具备高增益、高线性度和出色的效率表现，适用于通信基站、雷达系统以及工业科学医疗 (ISM) 领域中的高频功率放大器。
其封装形式通常为符合行业标准的陶瓷封装，以确保在高频和高功率条件下具有良好的散热性能和可靠性。
型号：CST0630H-R10M
类型：GaN HEMT 功率晶体管
工作频率范围：30 MHz - 3 GHz
最大输出功率：50 W
增益：12 dB
效率：65 %
供电电压：28 V
输入匹配阻抗：50 Ω
输出匹配阻抗：50 Ω
封装形式：陶瓷封装
工作温度范围：-40 °C 至 +85 °C
CST0630H-R10M 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓技术使其能够在高频段实现更高的输出功率和效率，同时减少热量积累。
2. 线性度优越，适合用于对信号失真要求较高的通信应用。
3. 内置栅极保护电路，提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 封装设计针对高频应用优化，能够提供低寄生效应和优异的热管理性能。
5. 在广泛的频率范围内保持稳定的增益和功率输出，简化了系统设计过程。
这款功率晶体管广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基础设施，如蜂窝基站、小型蜂窝网络和中继站。
2. 工业、科学和医疗设备中的射频能量应用，例如等离子体发生器和射频加热系统。
3. 航空航天与国防领域中的雷达系统和电子对抗装置。
4. 测试测量设备中的高性能射频信号源和功率放大器模块。
5. 新兴物联网 (IoT) 应用中的远程无线数据传输节点。
CST0630H-R15M, CST0630H-R20M
