时间：2025/5/28 21:28:11
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CST0420T-R47M 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，专为射频和微波应用设计。该型号采用先进的封装技术，提供卓越的输出功率、增益和效率。其工作频率范围广，适合于基站、雷达系统以及卫星通信等领域。该器件具有高线性度和低失真特性，能够在高频条件下保持稳定的性能表现。
此晶体管的核心优势在于其出色的耐压能力、快速开关速度以及较低的导通电阻，这使得它在高效能转换器和放大器中表现出色。
型号：CST0420T-R47M
类型：GaN HEMT
封装：TO-252 (DPAK)
额定电压：100V
额定电流：4A
导通电阻：47mΩ
最大工作频率：3GHz
增益：18dB
输出功率：50W
插入损耗：≤1.2dB
存储温度范围：-55℃ 至 +150℃
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
CST0420T-R47M 的主要特性包括：
1. 高效的功率转换：得益于 GaN 技术，该晶体管在高频下能够实现极高的效率，减少能量损耗。
2. 稳定的性能：即使在极端环境温度下，也能保持稳定的输出。
3. 低寄生电感：优化的内部结构大幅降低了寄生电感，从而改善了高频条件下的开关特性。
4. 快速开关时间：具备非常短的开启和关闭时间，适合要求严苛的应用场景。
5. 小型封装：尽管性能强大，但其体积紧凑，便于集成到各类复杂电路中。
6. 宽带支持：能够覆盖较宽的工作频率范围，适用于多种不同的无线通信协议。
CST0420T-R47M 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器：
用于提高信号强度，确保长距离传输的可靠性。
2. 基站设备：
为 4G/5G 通信基础设施提供高效的功率处理能力。
3. 航空航天与国防：
如相控阵雷达、电子对抗系统等，需要高性能射频组件的场合。
4. 工业加热设备：
例如等离子体发生器或工业微波炉中的功率模块。
5. 医疗设备：
某些医疗成像系统可能需要用到这种高频功率晶体管。
CST0420T-R50M, CST0420T-R60M
