时间：2025/9/3 21:17:25
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LMG3411R070RWHR 是由 Texas Instruments（德州仪器）推出的一款高性能 GaN（氮化镓）功率器件，属于其 LMG341x 系列产品。该器件将一个 GaN FET 与一个专用的栅极驱动器集成在一个封装中，旨在提供高效率、高频率和高可靠性的功率转换解决方案。LMG3411R070RWHR 的 GaN 晶体管具有极低的导通电阻和快速的开关速度，使其非常适合用于高功率密度应用，如服务器电源、电信电源、工业电源和车载充电系统。
类型：集成 GaN 功率器件
晶体管类型：增强型 GaN FET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）：20A（典型值）
导通电阻（RDS(on)）：70mΩ（最大值）
封装类型：8 引脚 HVSSOP
工作温度范围：-40°C 至 150°C
栅极驱动电压：5.2V 内部调节
开关频率：支持高达 2MHz
保护功能：过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、欠压锁定（UVLO）
LMG3411R070RWHR 的核心优势在于其 GaN 技术所带来的卓越性能。该器件采用的 GaN FET 具有比传统硅 MOSFET 更低的开关损耗和导通损耗，从而显著提高电源系统的效率。内部集成的栅极驱动器优化了开关性能，降低了外部驱动电路的设计复杂度，并减少了 PCB 布局中的寄生电感效应。
该器件具备多种保护功能，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）和欠压锁定（UVLO），提高了系统在异常工况下的可靠性。此外，LMG3411R070RWHR 支持高达 2MHz 的开关频率，使得设计人员可以使用更小的磁性元件和电容，从而实现更高功率密度的电源设计。
LMG3411R070RWHR 采用 8 引脚 HVSSOP 封装，具备良好的热性能和电气性能，适用于高频和高效率的电源转换应用。其内部驱动器还具有延迟匹配和死区时间控制功能，有助于提高同步整流和半桥拓扑结构的效率。
LMG3411R070RWHR 适用于需要高效率和高频率操作的功率转换系统。典型应用包括服务器和电信电源、DC-DC 转换器、工业电源、车载充电系统以及需要高功率密度的电源模块。其优异的性能使其在 LLC 谐振转换器、同步整流器和半桥拓扑结构中表现尤为出色。
LMG3410R050RWKR, LMG3411R050RWHR, LMG3412R050RWHR
