ST5N20V 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的开关应用,广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器等电子系统中。ST5N20V采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热性能,能够满足高功率密度设计的需求。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):5A
最大漏源电压(VDS):200V
导通电阻(RDS(on)):1.5Ω(典型值)
栅极电压(VGS):±20V
耗散功率(PD):30W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
ST5N20V具有多项出色的电气和热性能,适合高可靠性应用场景。
首先,其最大漏源电压(VDS)为200V,使其适用于中高压功率转换系统,如开关电源(SMPS)和马达驱动器。
其次,该器件的导通电阻(RDS(on))仅为1.5Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
此外,ST5N20V具备较高的栅极电压耐受能力(±20V),增强了其在复杂工作环境下的稳定性。
其封装形式为TO-220,具备良好的散热能力,适合高功率应用场景。TO-220封装也便于安装和散热片连接,提高了器件在高负载条件下的热稳定性。
ST5N20V的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种严苛环境下的稳定运行,确保器件在极端条件下仍能正常工作。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力,能够承受瞬态电压冲击,提高了系统的安全性和可靠性。
ST5N20V主要应用于中高压功率转换和控制领域。
在电源管理方面,该器件常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等系统中,作为主开关或同步整流元件,提高能效并减小系统体积。
在电机控制应用中,ST5N20V可用于H桥驱动电路,实现对直流电机、步进电机等负载的高效控制。
此外,该MOSFET也广泛用于电池管理系统(BMS)、充电器、逆变器以及工业自动化设备中,作为功率开关元件,实现对负载的快速控制和保护。
由于其良好的抗瞬态电压能力,ST5N20V也适用于需要承受高电压冲击的环境,如工业控制、智能电表、LED照明驱动等应用。
该器件的TO-220封装形式便于散热设计,特别适合需要长时间高负载运行的应用场景。
STP5N20V, STP5NK20Z, IRF740, FQP5N20C