时间：2025/7/22 15:48:45
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ST5N20V 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高可靠性的开关应用，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器等电子系统中。ST5N20V采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热性能，能够满足高功率密度设计的需求。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏源电压（VDS）：200V
导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（典型值）
栅极电压（VGS）：±20V
耗散功率（PD）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
ST5N20V具有多项出色的电气和热性能，适合高可靠性应用场景。
首先，其最大漏源电压（VDS）为200V，使其适用于中高压功率转换系统，如开关电源（SMPS）和马达驱动器。
其次，该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为1.5Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，ST5N20V具备较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了其在复杂工作环境下的稳定性。
其封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适合高功率应用场景。TO-220封装也便于安装和散热片连接，提高了器件在高负载条件下的热稳定性。
ST5N20V的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的稳定运行，确保器件在极端条件下仍能正常工作。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态电压冲击，提高了系统的安全性和可靠性。
ST5N20V主要应用于中高压功率转换和控制领域。
在电源管理方面，该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等系统中，作为主开关或同步整流元件，提高能效并减小系统体积。
在电机控制应用中，ST5N20V可用于H桥驱动电路，实现对直流电机、步进电机等负载的高效控制。
此外，该MOSFET也广泛用于电池管理系统（BMS）、充电器、逆变器以及工业自动化设备中，作为功率开关元件，实现对负载的快速控制和保护。
由于其良好的抗瞬态电压能力，ST5N20V也适用于需要承受高电压冲击的环境，如工业控制、智能电表、LED照明驱动等应用。
该器件的TO-220封装形式便于散热设计，特别适合需要长时间高负载运行的应用场景。
STP5N20V, STP5NK20Z, IRF740, FQP5N20C
