时间：2025/5/8 13:42:11
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CSD95480RWJT 是一款由德州仪器（TI）生产的功率 MOSFET，采用先进的 NexFET 技术。该器件集成了两个 N 沟道 MOSFET，分别用于高边和低边开关应用，适用于高效的同步降压转换器和其他功率管理电路。其封装形式为 8 引脚的 SON 封装，具有卓越的热性能和小尺寸特性。
这款器件特别适合要求高效能和高功率密度的应用场景，例如笔记本电脑适配器、工业电源以及通信电源等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：20A
导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（典型值，高边），3.1mΩ（典型值，低边）
栅极电荷：36nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SON-8
CSD95480RWJT 的主要特性包括：
1. 集成高边和低边 MOSFET，减少外部元件数量，简化设计流程。
2. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 先进的 NexFET 技术确保了出色的开关性能和更低的开关损耗。
4. 紧凑型 SON-8 封装支持高功率密度设计，同时具备良好的散热能力。
5. 宽泛的工作温度范围，使其能够适应多种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
CSD95480RWJT 广泛应用于以下领域：
1. 同步降压 DC/DC 转换器。
2. 笔记本电脑和台式机的适配器。
3. 通信设备中的电源模块。
4. 工业级开关电源（SMPS）。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的场合。
由于其高性能和紧凑的封装形式，这款芯片非常适合对空间和效率有严格要求的设计。
CSD95470RWBT, CSD97396Q5A
