制造商：Murata
　　系列：EMK
　　电容：4.7μF
　　容差：±10%
　　额定电压：6.3V
　　温度特性：X5R（±15% @ -55°C to +85°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　直流偏压特性：随电压增加电容量下降
　　封装/外壳：0603（1608 公制）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　介质材料：陶瓷（Class II, X5R）
　　电极材料：镍/锡（Ni/Sn）
　　包装形式：编带（Tape and Reel, AT）
　　ESR（等效串联电阻）：低（典型值在mΩ级，具体取决于频率）
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 ≥100MΩ·μF（取较小值）
　　寿命稳定性：符合EIA标准
　　老化率：约±2.5% / decade hour（典型值）

EMK107ABJ475KAT采用Class II陶瓷介质材料X5R，具备较高的体积效率，在有限的空间内实现较大的电容值。其介电常数较高，使得在0603的小型封装中达到4.7μF成为可能，这在同类产品中具有较强的竞争力。X5R材质保证了在-55°C至+85°C的工作温度范围内电容变化率不超过±15%，相较于Z5U或Y5V等材料具有更优的温度稳定性。尽管其电容值会随着施加的直流偏压升高而显著下降——这是Class II陶瓷电容的共性，但在6.3V额定电压下，用于3.3V或更低电压系统时仍能保持较高的有效电容。
　　该器件具有良好的频率响应特性，适用于中低频滤波应用。由于其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），在电源去耦场景中能够有效抑制噪声和瞬态干扰，提升电源轨的稳定性。此外，其表面贴装设计便于自动化贴片生产，提高组装效率与一致性。镍阻挡层电极结构增强了抗迁移能力，防止银离子迁移导致短路，提升了长期使用的可靠性。产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压试验（H3TRB）、温度循环测试（TCT）和耐焊接热测试，确保在严苛环境下稳定运行。
　　Murata作为全球领先的被动元件制造商，其生产工艺成熟，产品质量一致性高。EMK系列电容符合AEC-Q200标准的部分要求，可用于对可靠性有一定要求的应用场合。同时，该器件无铅、无卤，符合RoHS和REACH环保指令，适用于出口型电子产品。虽然其不具备C0G/NP0级别的精度和稳定性，但凭借合理的性价比和可靠的性能表现，成为众多非精密模拟和数字电路中的首选去耦电容。

EMK107ABJ475KAT广泛应用于各类需要中等容量去耦和滤波功能的电子设备中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，常用于为处理器、传感器和射频模块提供电源旁路，以降低电源噪声并稳定供电电压。在电源管理系统中，特别是在DC-DC转换器的输入和输出端，该电容可有效平滑电压波动，提高转换效率并减少电磁干扰（EMI）。
　　在工业控制领域，该器件适用于PLC模块、传感器接口电路和小型嵌入式控制器，承担信号耦合与去耦任务。其稳定的温度特性和可靠的封装结构使其能在较宽的环境温度范围内正常工作。在通信设备中，例如Wi-Fi模块、LoRa收发器和以太网PHY芯片周边，EMK107ABJ475KAT可用于电源轨滤波，保障信号完整性。此外，在汽车电子中的非动力系统（如车载信息娱乐系统、仪表盘显示单元）中也有应用，尤其适合低压供电节点的退耦设计。
　　由于其小尺寸和高集成度特点，该电容特别适合空间受限的高密度PCB布局。在电池供电设备中，其低漏电流特性有助于延长待机时间。总体而言，凡是需要在紧凑空间内实现微法级电容值且工作电压低于6.3V的场景，该型号均是一个经济且可靠的选择。

GRM188R71C475KA12D
　　CL21A475KAQNNNE
　　C1608X5R1C475K