时间：2025/8/9 5:26:31
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2SK1985-01M(MR) 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、马达控制以及其他需要高效功率管理的电路中。该器件采用高密度单元设计技术，具有较低的导通电阻和优良的开关性能。该MOSFET采用SOP（小外形封装）或类似的小型封装形式，适合在空间受限的PCB设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：8A
功耗(PD)：2W
导通电阻(RDS(on))：最大35mΩ（在VGS=4.5V时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
2SK1985-01M(MR) MOSFET具有多个显著的技术特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件在VGS=4.5V时，RDS(on)最大为35mΩ，这使得它在低电压、高电流的应用中表现优异。
其次，该MOSFET具有良好的热稳定性，其最大功耗为2W，并可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。
此外，2SK1985-01M(MR)的封装形式为SOP，便于表面贴装，适用于自动化生产流程，提高了制造效率和可靠性。其小型化设计也有利于节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至12V之间的驱动电压，适用于多种栅极驱动电路设计。同时，其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统效率，适合高频开关应用。
2SK1985-01M(MR) MOSFET广泛应用于多个电子领域。在电源管理方面，它常用于同步整流DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电压调节模块（VRM）。其低导通电阻和高效率的特性使其成为电源转换器中的关键元件。
在电机控制领域，该MOSFET可用于小型电机的驱动电路，支持PWM调速控制，提供稳定可靠的功率输出。
另外，该器件也适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备的电源管理系统，用于负载切换和电池充电控制。
在工业自动化和物联网设备中，2SK1985-01M(MR)可用于传感器供电管理、继电器替代电路以及LED驱动电路，提供高效的功率控制方案。
Si2302DS, 2SK3018, AO3400A, BSS138
