时间：2025/8/5 16:07:38
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VUO30-12N07是一款由Vishay Semiconductors生产的功率MOSFET模块，适用于高功率和高频应用。该模块采用先进的沟槽栅极技术，提供优异的导通和开关性能。它通常用于工业电机控制、电源转换和电机驱动系统等领域。
类型：功率MOSFET模块
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大漏极电流（ID）：30A
导通电阻（RDS(on)）：70mΩ
封装类型：TO-247AC
工作温度范围：-55°C至+175°C
VUO30-12N07具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其先进封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性，适合在恶劣环境下运行。该模块的高频开关能力使其适用于高频电源转换器，如DC-DC转换器和逆变器。
此外，该器件具备高雪崩能量耐受能力，确保在极端条件下仍能稳定工作。其内置的快速恢复二极管减少了外部电路设计的复杂性，同时优化了整体性能。这种MOSFET模块还具有出色的短路耐受能力，增强了系统在故障情况下的可靠性。
在可靠性方面，VUO30-12N07经过严格的测试和验证，符合行业标准，确保长期稳定运行。其设计支持并联使用，便于构建高功率系统。模块的绝缘性能优异，能够有效隔离高压部分，确保操作安全。
VUO30-12N07广泛应用于工业自动化系统、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电焊机等设备中。其高效能和高可靠性使其成为高功率电子系统中的关键组件。此外，它还适用于电动汽车充电设备和电力储能系统，满足对高效率和高稳定性的严格要求。
IXFH30N120Q3, FGL40N120AND
