时间：2025/8/2 8:49:32
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CSD17527Q5A是一款由德州仪器（Texas Instruments）推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和高效率的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：5mm x 6mm SON（Q5000）
CSD17527Q5A具备极低的导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
该器件采用SON封装，具有良好的热性能和空间节省优势，适合高密度PCB设计。
其栅极氧化层经过优化设计，确保在高频开关应用中具有出色的稳定性和耐用性。
此外，CSD17527Q5A具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在极端工况下的可靠性。
器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。
CSD17527Q5A广泛应用于同步整流、高效DC-DC降压/升压转换器、服务器和电信电源系统、马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及高功率负载开关等场景。
其低Rds(on)和高电流能力使其成为高频开关电源的理想选择。
在汽车电子系统中，它可用于车载充电器、DC-DC变换器以及电动助力转向系统等应用。
同时，该MOSFET也适用于工业自动化设备、UPS不间断电源和储能系统。
CSD17528Q5B, CSD17556Q5B, CSD19531Q5A
