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CSD17507Q5A 发布时间 时间:2025/5/6 13:27:05 查看 阅读:6

CSD17507Q5A 是一款由德州仪器(TI)生产的增强型 N 通道逻辑电平场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的封装技术,适用于高效率开关应用和负载切换场合。其低导通电阻特性使得该 MOSFET 在高频开关电路中表现出色,同时能够支持较高的连续漏极电流。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他功率管理应用中。
  这款 MOSFET 的设计重点在于降低功耗并提升系统效率,同时保持良好的热性能。通过优化的芯片设计和封装技术,CSD17507Q5A 可以在高温环境下稳定运行。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):94A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):48nC
  输入电容(Ciss):4260pF
  输出电容(Coss):560pF
  反向传输电容(Crss):90pF
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on),仅为 1.5mΩ,可显著降低导通损耗。
  2. 高额定电流能力,连续漏极电流高达 94A,适合大功率应用。
  3. 逻辑电平驱动兼容性,确保使用标准 CMOS 或 TTL 输出轻松控制。
  4. 支持高频率开关操作,具备较低的栅极电荷 Qg 和反向恢复电荷。
  5. 工作温度范围广(-55°C 至 175°C),可在极端条件下运行。
  6. 符合汽车级 AEC-Q101 标准,适合车载电子设备。
  7. 先进的封装形式,有助于提高散热性能和机械稳定性。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动车辆和混合动力车辆中的电机控制器。
  3. 高效负载开关和保护电路。
  4. 汽车电子系统中的电池管理系统 (BMS)。
  5. LED 照明驱动器及逆变器。
  6. 工业自动化中的伺服驱动和机器人控制。
  7. 大功率音频放大器和其他需要高效功率转换的应用场景。

替代型号

CSD18502Q5A, IRF7842PbF, FDS8937DG

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CSD17507Q5A参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C65A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.8 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds530pF @ 15V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-27791-6