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STW10N95K5 发布时间 时间:2025/4/28 20:51:54 查看 阅读:7

STW10N95K5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用TO-220封装形式,适合用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他功率转换应用。STW10N95K5以其低导通电阻和高电流处理能力而著称,能够在高频开关条件下提供高效的性能。
  这款MOSFET的主要特点是其优化的动态性能和热稳定性,适用于工业和消费类电子设备中的各种功率管理场景。

参数

最大漏源电压:95V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:37nC(典型值)
  总功耗:115W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

STW10N95K5具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用中的高效性能,减少了功率损耗。
  2. 高雪崩能量能力使其能够承受过载条件下的电压尖峰。
  3. 快速开关速度降低了开关损耗,特别适合高频开关应用。
  4. 具有出色的热稳定性,可以在高温环境下可靠运行。
  5. 内置反向二极管支持续流功能,适用于同步整流和逆变器电路。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

STW10N95K5广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)和直流-直流转换器。
  2. 工业电机控制和驱动电路。
  3. 负载切换和保护电路。
  4. 电池管理系统中的充放电控制。
  5. 逆变器和UPS系统中的功率转换模块。
  6. 各种消费类电子产品中的功率管理单元。

替代型号

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP18N60C
  AO10N95

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STW10N95K5参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥35.70000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)950 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)800 毫欧 @ 4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)630 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)130W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3