类型：双P沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：-20V
　　栅源电压(Vgs)：±12V
　　连续漏极电流(Id)：-4A
　　导通电阻(Rds(on))：@Vgs=4.5V时为28mΩ；@Vgs=2.5V时为40mΩ
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23-6

GV7605-IBE3具有多项优异的电气和机械特性，使其成为高性能功率管理应用的理想选择。
　　首先，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。在Vgs为4.5V时，Rds(on)仅为28mΩ，而在更低的2.5V驱动电压下也能保持在40mΩ，这使其适用于多种低压控制电路。
　　其次，GV7605-IBE3支持高达-4A的连续漏极电流，并且在SOT-23-6的小型封装下仍能提供良好的热性能，使得设计者能够在有限的空间内实现更高的功率密度。该器件的栅极电荷（Qg）也非常低，有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度。
　　此外，该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），适合在各种环境条件下运行，包括高温工业环境和低温消费类设备应用。其封装形式符合RoHS标准，适用于无铅焊接工艺，符合环保要求。
　　最后，GV7605-IBE3的双P沟道结构设计，使其能够在需要两个独立P沟道MOSFET的电路中（如反相开关或双路负载控制）节省空间并简化设计。这种集成化优势在便携式设备和嵌入式系统中尤为重要。

GV7605-IBE3广泛应用于多个领域，主要包括：
　　1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑、电子书阅读器等，用于电池供电管理和负载开关控制。
　　2. 电源管理系统：作为DC-DC转换器、LDO稳压器或负载开关中的关键组件，提高能效和系统稳定性。
　　3. 电池供电设备：如无人机、电动工具、移动电源等，用于高效能的电源切换和保护电路。
　　4. 工业控制系统：用于PLC、传感器模块、继电器驱动等场合中的低电压开关应用。
　　5. 汽车电子：如车载充电器、LED照明控制、车载信息娱乐系统中的电源管理模块。
　　由于其低导通电阻、小封装和高可靠性，GV7605-IBE3在需要高效、小型化和低功耗解决方案的设计中具有显著优势。

Si2305DS, IRML2803, AO4407A, FDS6675, BSS84