时间：2025/5/6 15:59:47
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CSD17311Q5是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于需要高效能和低损耗的应用场合，例如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。其封装形式为SON（小外形无引脚），有助于提高功率密度并降低系统成本。
这款MOSFET在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热稳定性和可靠性，能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：18nC
输入电容：1280pF
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：SON
CSD17311Q5的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下减少功耗并提升效率。
2. 高开关速度，适合高频应用场合。
3. 小型SON封装设计，有助于节省电路板空间。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 内置反向二极管，简化电路设计并提高整体性能。
7. 具备出色的热特性和电气性能，可长期可靠运行。
该器件广泛应用于各种电源管理和功率转换场景，具体应用领域如下：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动和音频放大器。
5. 工业自动化设备和通信基础设施。
6. 消费类电子产品中的高效能功率管理模块。
CSD17311Q5凭借其卓越的性能，在上述应用中可以显著降低功耗并提升系统效率。
CSD17572Q5B
CSD17571Q5A
