类型：DRAM
　　制造商：SK Hynix
　　封装类型：BGA（球栅阵列封装）
　　容量：256MB
　　数据总线宽度：16位
　　时钟频率：166MHz
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：54-ball FBGA
　　数据速率：333MHz（等效于PC2700）
　　组织结构：256M x 16

H8BCSOQSOMBP56M 具备多项显著特性。首先，它采用了先进的CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的集成度，适用于需要长时间运行的设备。其次，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够在不丢失数据的情况下有效降低功耗，延长设备的电池寿命。
　　此外，H8BCSOQSOMBP56M 的封装形式为54-ball FBGA（细间距球栅阵列），这种封装方式不仅体积小巧，还具备良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。该芯片支持突发模式（Burst Mode），允许连续读写多个存储单元，提高数据传输效率。
　　该DRAM芯片还具备优异的兼容性，可与多种主控芯片或处理器无缝对接。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业自动化、通信设备和车载系统等对可靠性要求较高的应用场景。

H8BCSOQSOMBP56M 主要应用于对内存容量和性能有一定要求的嵌入式系统中。例如，它可被用于工业控制设备中的数据缓存和临时存储，如PLC（可编程逻辑控制器）、工业计算机和自动化测试设备。在网络设备中，如路由器、交换机和无线接入点，该芯片可用于提高系统运行速度和数据处理能力。
　　在消费类电子产品中，该DRAM芯片也可用于智能家电、机顶盒、数码相框等产品中，提供可靠的内存支持。此外，在车载电子系统中，如车载导航、车载娱乐系统和智能后视镜等设备，该芯片可在各种温度环境下保持稳定运行。
　　由于其低功耗和高稳定性，H8BCSOQSOMBP56M 还被广泛用于手持设备和便携式电子产品中，如POS终端、数据采集器和智能仪表等，有助于延长设备的使用时间并提升系统响应速度。

H8BCS0512QMSB56N, H8BCS0512QLBR56A, MT48LC16M16A2B4-6A