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CSD16403Q5A 发布时间 时间:2025/5/6 12:29:37 查看 阅读:9

CSD16403Q5A 是一款由德州仪器 (TI) 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,旨在提供低导通电阻和快速开关性能,适用于高效率电源转换和电机驱动应用。
  这款 MOSFET 主要用于消费电子、工业设备以及通信系统中的功率管理电路。其出色的电气特性和可靠性使其成为设计高性能功率转换系统的理想选择。

参数

最大漏源电压 (Vds):60V
  连续漏极电流 (Id):27A
  导通电阻 (Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷 (Qg):48nC
  输入电容 (Ciss):1790pF
  输出电容 (Coss):145pF
  反向传输电容 (Crss):43pF
  结温范围:-55℃ 至 150℃
  封装类型:DSOP-8

特性

CSD16403Q5A 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  5. 良好的热稳定性,在高温环境下依然能够保持稳定的性能。
  6. 封装紧凑,便于 PCB 布局设计,同时支持表面贴装技术 (SMT) 的自动化生产流程。
  这些特性使得 CSD16403Q5A 成为高效 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等应用的理想选择。

应用

CSD16403Q5A 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS),如适配器、充电器和分布式电源系统。
  2. 同步整流电路,用于提高电源转换效率。
  3. 电机驱动电路,尤其是小型直流无刷电机控制。
  4. 负载开关,用于需要快速响应和低功耗的场景。
  5. 电池保护电路,以防止过流和短路损坏。
  6. 工业设备中的功率管理模块,例如 UPS 和 LED 驱动器。
  凭借其优异的电气性能和可靠性,CSD16403Q5A 在各种功率转换和控制应用中表现出色。

替代型号

CSD18502Q5A, IRFZ44N, FDP5500

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CSD16403Q5A参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.9V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2660pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-SON(5x6)
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-24249-6