时间：2025/8/22 12:02:24
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NT5CB128M16FP-DII 是一款由Nanya（南亚科技）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高性能、低功耗存储器产品线的一部分。该芯片具有128MB的存储容量，数据总线宽度为16位，采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，适用于需要高性能内存支持的电子设备。
容量：128MB
数据总线宽度：16位
封装类型：FBGA
工作电压：2.3V - 3.6V
时钟频率：166MHz
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
NT5CB128M16FP-DII 的主要特性之一是其低功耗设计，使其适用于便携式设备和对功耗敏感的应用。其高速时钟频率（166MHz）和短访问时间（5.4ns）提供了快速的数据访问能力，有助于提升系统的整体性能。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不牺牲数据完整性的前提下降低功耗。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具备良好的电源适应性，适用于多种电源设计环境。芯片的FBGA封装不仅提供了良好的散热性能，还减少了封装尺寸，适合高密度PCB布局。NT5CB128M16FP-DII 的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，确保在各种温度条件下都能稳定运行。
NT5CB128M16FP-DII 广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、消费电子产品以及需要高速内存支持的其他设备。例如，在网络路由器和交换机中，该芯片可用于高速缓存或临时数据存储；在工业自动化设备中，它能够提供稳定和可靠的内存支持；在便携式电子产品（如手持终端和智能设备）中，其低功耗特性有助于延长电池寿命。此外，该芯片还可用于图像处理设备、数据采集系统以及各种需要快速数据存取的场景。
IS42S16100E-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1041GN30-10ZS
