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CSD16322Q5 发布时间 时间:2025/5/6 20:41:50 查看 阅读:8

CSD16322Q5是一款由德州仪器(TI)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合用于高效能的电源管理应用。其封装形式为SON-8,这种小型化封装使其在空间受限的设计中具有优势。
  该器件通常被应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及其他需要高性能功率开关的应用场景中。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ
  栅极电荷:29nC
  总电容:870pF
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

CSD16322Q5的主要特性包括超低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少传导损耗并提高系统效率。此外,它具备较高的雪崩能力和热稳定性,能够承受突发的能量冲击。快速的开关速度使得该器件适用于高频开关应用,从而减小了整体电路尺寸并降低了电磁干扰(EMI)。
  另外,由于采用了SON-8封装,CSD16322Q5具有出色的散热性能,并且易于焊接和集成到现代印刷电路板设计中。这些特点使它成为许多高密度电力电子解决方案的理想选择。

应用

这款MOSFET广泛应用于多种领域,包括但不限于笔记本电脑适配器、服务器电源、通信电源以及消费类电子产品的电源管理系统。它还适合用作负载开关,在USB充电端口保护、电池管理系统(BMS)等方面有出色表现。
  此外,CSD16322Q5在同步整流电路中的表现也非常突出,可以有效提升效率并降低热量产生。总之,任何需要高效功率转换或开关控制的地方都可以考虑使用此器件。

替代型号

CSD16342Q5B,
  CSD16331Q5B,
  CSD16351Q5B

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CSD16322Q5参数

  • 产品培训模块NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列NexFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C97A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫欧 @ 20A,8V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1365pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装8-SON
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称296-25112-6