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FA7S068HG2R1200 发布时间 时间:2025/8/1 10:06:34 查看 阅读:34

FA7S068HG2R1200是一款由富士电机(Fuji Electric)推出的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块采用了富士电机先进的硅芯片技术,具有高效率、高可靠性和低损耗的特点。FA7S068HG2R1200广泛应用于工业电机驱动、电动汽车(EV)充电系统、太阳能逆变器以及其他高功率电子设备中。

参数

类型:IGBT模块
  制造商:富士电机(Fuji Electric)
  最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):600A
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:双列直插式(Dual Inline Package, DIP)
  芯片技术:硅(Si)
  最大功耗:250W
  短路耐受能力:10μs
  隔离电压:2500Vrms
  热阻(Rth):0.15°C/W

特性

FA7S068HG2R1200 IGBT模块具有多项先进的性能特性。首先,其高电压和高电流能力使其适用于高功率密度设计,能够在极端工作条件下保持稳定运行。其次,该模块采用低饱和压降(Vce_sat)技术,显著降低了导通损耗,从而提高了整体系统效率。此外,FA7S068HG2R1200具有优异的短路耐受能力,能够在短时间内承受高电流冲击而不损坏,增强了系统的可靠性。
  该模块还具备良好的热管理特性,其低热阻设计有助于快速散热,防止过热导致的性能下降或损坏。封装设计符合工业标准,便于集成到各种功率电子系统中,并提供可靠的电气隔离,确保操作安全性。FA7S068HG2R1200的封装材料和内部结构经过优化,能够在高温和高湿环境下保持稳定性能,适用于严苛的工业环境。
  此外,该模块还具有快速开关能力,降低了开关损耗,提高了系统的动态响应速度。其栅极驱动特性优化,使得控制更加精确,适用于复杂的PWM(脉宽调制)控制策略。

应用

FA7S068HG2R1200 IGBT模块主要应用于高功率电子系统,如工业电机驱动器、电动汽车充电系统、太阳能逆变器、储能系统以及电能质量调节设备。其高可靠性和高效率特性使其成为电动汽车充电站、智能电网和工业自动化系统中的关键组件。在电动汽车领域,该模块可用于车载充电器(OBC)和电池管理系统(BMS),提供高效的能量转换和稳定的性能。在工业领域,FA7S068HG2R1200可应用于变频器、不间断电源(UPS)和焊接设备等高功率应用。

替代型号

FS750R12KT4_B11

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