晶体管类型：NPN型
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　电流增益（hFE）：在2kHz下，典型值为110至800（根据具体等级划分）
　　过渡频率（fT）：100MHz

JTX1N6130A具有多项优良特性，适合多种电子电路应用。首先，其NPN结构设计使其在放大电路中具有较高的电流增益，适合用于音频放大、信号处理等场景。其次，该晶体管的过渡频率达到100MHz，表明其在高频应用中表现优异，能够支持射频（RF）电路和高速开关应用。此外，JTX1N6130A的TO-92封装结构紧凑，便于安装，并具有良好的散热性能，确保器件在长时间工作下的稳定性。
　　该晶体管的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，能够适应恶劣的工作环境，如工业控制、汽车电子等应用场景。其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，提供了良好的耐压性能，适用于中低功率的电路设计。此外，该器件的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级划分，其hFE值可以在110至800之间变化，用户可以根据具体需求选择合适的晶体管等级，以优化电路性能。
　　JTX1N6130A还具备较低的噪声系数和良好的线性度，这使其在低噪声放大器和高保真音频设备中表现出色。同时，该晶体管的生产符合RoHS环保标准，无铅封装设计符合现代电子产品的环保要求。

JTX1N6130A因其优异的电气性能和广泛的工作温度范围，被广泛应用于多个领域。在消费电子产品中，该晶体管常用于音频放大器、收音机调谐电路、电源管理模块等。例如，在小型音响设备和便携式耳机放大器中，JTX1N6130A可用于前置放大电路，以提高信号的增益和清晰度。此外，其低噪声特性也使其适用于麦克风前置放大器和无线通信设备中的射频放大电路。
　　在工业控制领域，JTX1N6130A可作为开关电路或驱动电路中的关键元件，用于控制继电器、LED显示模块、传感器信号调理等。由于其良好的温度适应性和稳定性，该晶体管也常用于工业自动化系统中的信号处理模块和接口电路。
　　在通信设备方面，JTX1N6130A的高频特性使其适用于低频至超高频（UHF）范围内的信号放大和调制解调电路。例如，在无线基站、小型无线模块和射频识别（RFID）设备中，该晶体管可以用于射频信号的前置放大和缓冲。
　　此外，JTX1N6130A也适用于教育和实验用途，由于其价格低廉、参数稳定，常被用于电子工程教学实验和电子爱好者DIY项目中。

2N3904, BC547, PN2222