时间：2025/5/6 17:59:52
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CSD15571Q2 是一款由 TI（德州仪器）生产的 N 沣道场效应晶体管 (N-Channel MOSFET)。它采用先进的工艺技术制造，适用于高效率、高速开关应用场合。
该器件具有低导通电阻和优化的开关性能，使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理应用中。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：14nC
开关速度：快速
封装类型：DSG-8
CSD15571Q2 提供了出色的导通和开关性能，这主要得益于其极低的导通电阻 (Rds(on)) 和优化的栅极电荷设计。
这款 MOSFET 的低 Rds(on) 值能够显著降低传导损耗，从而提高整体系统的效率。
此外，其紧凑的 DSG-8 封装适合空间受限的应用场景，并且具备良好的热性能，有助于将功率密度最大化。
CSD15571Q2 专为高频开关应用而设计，例如同步降压转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
CSD15571Q2 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
- 便携式设备中的 DC-DC 转换器
- 笔记本电脑和超极本的电源管理
- 固态硬盘 (SSD) 电源
- 工业自动化中的电机驱动
- 电信和网络设备中的负载开关
由于其高性能和可靠性，该 MOSFET 在需要高效能量转换和小型化解决方案的应用中备受青睐。
CSD18501Q5A
