SSH45N20 时间：2025/8/25 3:59:37 阅读：16

SSH45N20是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有高耐压、低导通电阻、高可靠性和优异的热稳定性等特点。SSH45N20特别适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种高电流负载的驱动电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：45A（在25°C）
　　功耗（PD）：160W
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.04Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247、TO-263（表面贴装）等

特性

SSH45N20具有多项优异的电气和物理特性。其高耐压能力（200V）使其适用于多种中高功率应用场合。导通电阻非常低，通常在0.04Ω左右，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为45A，在散热条件良好的情况下可以支持更高的瞬态电流。此外，SSH45N20的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），具有良好的线性区控制能力，适合用于开关和线性放大应用。其封装形式（如TO-247）提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率工作条件下的可靠性。器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。

应用

SSH45N20广泛应用于各种功率电子设备中。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关器件，以实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高频开关元件，实现电压的升降压转换。在电机控制和驱动电路中，SSH45N20可用于H桥结构，实现直流电机或步进电机的双向控制。在逆变器系统中，如UPS不间断电源或太阳能逆变器中，该器件可作为功率级开关，实现直流到交流的能量转换。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）、LED照明驱动、工业自动化设备以及各种需要高效率功率开关的电子系统。