CEB6060L 时间：2025/9/12 11:27:56 阅读：15

CEB6060L 是一款由 Cissoid 生产的高温耐受型双通道 SiC（碳化硅）MOSFET 驱动器芯片，专为在极端温度环境下（如航空航天、石油勘探、电动汽车和工业应用）提供高效、可靠的功率开关控制而设计。该器件采用 Cissoid 的专利高温封装技术，能够在 -55°C 至 +225°C 的宽温度范围内稳定工作。CEB6060L 支持驱动两个 SiC MOSFET，适用于半桥或双路独立配置，具有高驱动能力和快速响应时间。

参数

工作温度范围：-55°C 至 +225°C
　　电源电压范围：12V 至 30V
　　输出驱动电流（峰值）：+3A / -4A
　　传播延迟：110ns（典型）
　　上升/下降时间：20ns
　　输入逻辑阈值电压：2.5V 至 5.5V（兼容 TTL 和 CMOS）
　　工作频率支持：高达 500kHz
　　封装类型：16 引脚 TSSOP

特性

CEB6060L 的核心优势在于其卓越的高温耐受性能和高可靠性，无需额外的散热装置即可在极端环境下运行。该芯片集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不足时自动关闭输出，防止误操作。其高速驱动能力使其适用于高频开关应用，同时具备低延迟和良好的交叉传导保护功能。CEB6060L 还采用了电隔离设计，提高了抗干扰能力和系统稳定性。此外，该芯片具有低静态电流和出色的热稳定性，能够在高温下保持优异的性能。
　　其封装设计优化了热管理和电气性能，适合在高温、高压和高振动环境中使用。芯片内部还集成了死区时间控制，以防止上下桥臂直通，提升系统安全性。CEB6060L 适用于多种拓扑结构，如半桥、推挽和同步整流电路，具有广泛的应用适应性。

应用

CEB6060L 主要用于需要在高温环境下稳定工作的功率电子系统，如电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、电机驱动器、DC-DC 转换器、航空电子系统、井下石油勘探设备、工业逆变器以及高温传感器模块等。其高可靠性和耐温能力也使其成为航空航天和国防领域的理想选择。此外，CEB6060L 可与 SiC MOSFET 搭配使用，实现高效、高密度的功率转换解决方案，适用于要求苛刻的工业自动化和能源管理系统。