时间：2025/8/1 13:22:50
阅读：19
CS9N90AKRD-G 是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换应用设计，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统。其高耐压、低导通电阻以及快速开关特性使其在高性能电源系统中表现出色。CS9N90AKRD-G采用先进的Trench MOSFET技术制造，具备优异的热稳定性和电流处理能力。封装形式为TO-252（DPAK），适用于表面贴装（SMT）工艺，便于散热和高密度设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：900V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：9A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.85Ω（VGS=10V）
功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：TO-252（DPAK）
CS9N90AKRD-G 具备多项优异特性，适用于高要求的电源转换场景。首先，其高达900V的漏源电压（VDS）使其能够适应高电压输入环境，例如工业电源和离线式开关电源。其次，导通电阻（RDS(on)）仅为0.85Ω，在同类900V MOSFET中具备较低的导通损耗，有助于提升系统效率并降低发热量。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至10V之间的驱动，兼容多种驱动电路设计，包括使用低压控制器的系统。此外，CS9N90AKRD-G具备快速开关特性，包括低开关损耗（tr和tf时间较短），适合高频开关应用，如谐振转换器和准谐振电源。
热稳定性方面，得益于Trench MOSFET技术和75W的功率耗散能力，CS9N90AKRD-G在高负载条件下仍能保持良好的散热性能，从而提高系统可靠性和寿命。其封装形式TO-252（DPAK）不仅支持表面贴装工艺，还便于与散热片配合使用，以进一步优化热管理。
此外，CS9N90AKRD-G符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求。其广泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也使其适用于严苛环境下的工业和汽车应用。
CS9N90AKRD-G 广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备。常见应用包括：离线式开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关控制、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的电源模块。其高耐压特性使其在高压输入环境下表现出色，例如220V/380V交流输入的电源系统。此外，由于其低导通电阻和快速开关特性，CS9N90AKRD-G也适用于需要高效率和低功耗的绿色能源系统，如太阳能逆变器和智能电网设备。
STW9NK90Z, FQA9N90C, FDPF9N90, SiHP09N90C
