时间：2025/9/11 9:11:35
阅读：10
KF4N20LD-RTF是一款由Korea Electronics(KEC)公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率和高频应用。这款MOSFET设计用于在高效率和高可靠性要求的电源系统中工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：4A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
KF4N20LD-RTF具有低导通电阻(Rds(on))，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的高耐压能力使其适用于多种高电压应用。MOSFET的快速开关特性使其适合用于高频开关电路，从而减小电源系统的尺寸和重量。该器件还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式便于安装和散热，适用于各种电源管理应用。
该MOSFET的高可靠性使其在工业电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及各种高电压开关电路中得到广泛应用。由于其高性能和稳定的工作特性，KF4N20LD-RTF是许多电源设计工程师的首选器件之一。
KF4N20LD-RTF广泛应用于工业电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明电源、电池管理系统以及各种高电压开关电路中。
2N6457G, IRF840, FQP4N20C
