晶体管类型：NPN型双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：115A
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-200或类似金属封装
　　电流增益（hFE）：典型值为15至30
　　最大基极电流（IB）：10A
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：1400V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V

SKDL115/12具有多个显著的性能特点，使其在高功率电子应用中表现出色。首先，其高达1200V的集电极-发射极电压（VCEO）使其适用于高电压环境，如电力电子转换器和高压电源系统。其次，115A的最大集电极电流能力使其能够处理高功率负载，适用于工业电机驱动和大功率开关电源。此外，该晶体管的300W最大功耗确保了其在高负载条件下的稳定性。SKDL115/12的封装设计优化了热管理，有助于提高器件的长期可靠性。其电流增益（hFE）在15至30之间，提供了良好的放大性能，同时保持较低的基极驱动要求。此外，该器件的宽工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种恶劣环境条件，包括工业自动化、电力系统和高可靠性电子设备。最后，SKDL115/12的结构设计确保了其在高频应用中的稳定性，使其适用于各种开关模式电源和逆变器电路。

SKDL115/12广泛应用于高功率电子系统中，特别是在需要高电压和高电流处理能力的场合。常见的应用包括工业电机驱动器、高压电源、开关模式电源（SMPS）、逆变器、UPS（不间断电源）、电焊设备、高频放大器和电力电子转换器。在这些应用中，SKDL115/12能够提供可靠的开关和放大功能，同时保持良好的热稳定性和耐久性。此外，该晶体管还可用于各种高可靠性系统，如电信基础设施、工业控制系统和电力管理系统。

SKDL115/16, SKDL120/12