时间：2025/12/25 10:48:05
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VDZT2R5.6B是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节、稳压和参考电压应用。该器件属于VDZ系列，采用小型表面贴装SOD-123FL封装，具有较小的尺寸和较高的可靠性，适合在空间受限的高密度印刷电路板（PCB）设计中使用。其标称齐纳电压为5.6V，在规定的测试电流下能够提供稳定的击穿电压，具备较低的动态阻抗和良好的温度稳定性。该齐纳二极管通常用于低压电源管理、信号电平钳位、过压保护以及作为基准电压源等场景。
VDZT2R5.6B的设计符合AEC-Q101车规级标准，表明其适用于汽车电子系统中的严苛环境，具备优异的耐热性、抗振动性和长期可靠性。此外，该器件还符合RoHS环保要求，无铅且不含有害物质，支持绿色环保制造。其SOD-123FL封装不仅节省空间，还具有良好的散热性能，有助于提升整体系统的稳定性和寿命。由于5.6V是硅基齐纳二极管中温度系数接近零的理想电压点，因此VDZT2R5.6B在此电压下表现出更小的电压漂移，特别适合作为精密参考电压源使用。
类型：齐纳二极管
极性：单齐纳
标称齐纳电压：5.6V
容差：±5%
额定功率：200mW
最大齐纳电压：5.88V
最小齐纳电压：5.32V
测试电流：5mA
最大反向漏电流：1μA @ VR=1V
动态阻抗：15Ω @ IZ=5mA
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装：SOD-123FL
VDZT2R5.6B齐纳二极管的核心优势在于其在5.6V工作电压下的卓越温度稳定性。这一电压值恰好位于硅材料齐纳二极管温度系数趋近于零的“拐点”附近，这意味着在其正常工作范围内，电压随温度的变化极小，显著优于其他电压值的齐纳管。这种低温度系数特性使其非常适合需要高精度电压参考的应用，例如模拟电路中的偏置设置、ADC/DAC参考源或传感器信号调理电路。此外，该器件具备较低的动态阻抗（典型值15Ω），意味着在负载电流变化时能维持更稳定的输出电压，有效抑制噪声和波动，提高系统稳定性。
该器件采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，外形紧凑，尺寸约为2.0mm x 1.25mm x 1.1mm，极大节省PCB布局空间，适用于便携式设备、消费类电子产品及汽车电子模块等对体积敏感的设计。尽管封装小巧，但其热设计优化良好，能够在200mW的功率下可靠运行，并支持高达+150°C的最大结温，确保在高温环境下仍可稳定工作。同时，-55°C的最低工作温度也保证了其在极端寒冷环境下的适用性。
VDZT2R5.6B通过了AEC-Q101车规认证，代表其在可靠性方面经过严格测试，包括高温反向偏置（HTRB）、温度循环、机械冲击等多项考核，确保在汽车引擎舱、车身控制模块、车载信息娱乐系统等复杂电磁与热应力环境中长期稳定运行。其制造过程遵循无铅焊接工艺，兼容现代回流焊流程，提升了生产良率和焊接可靠性。此外，该器件的反向漏电流极低（最大1μA@1V），在待机或低功耗模式下几乎不产生额外能耗，有利于节能设计。总体而言，VDZT2R5.6B是一款兼具高性能、高可靠性与小型化的齐纳二极管，广泛应用于工业控制、通信设备和汽车电子等领域。
VDZT2R5.6B广泛应用于各类需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。在汽车电子领域，常用于ECU（电子控制单元）、传感器接口电路、车载电源管理模块以及LED照明驱动中的电压钳位与稳压功能。由于其具备AEC-Q101认证，能够承受车辆运行中的剧烈温度变化和电气干扰，因此在发动机舱内的高温环境中依然表现可靠。
在工业控制系统中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块和数据采集系统中的信号调理部分，为模拟前端提供精确的参考电压，确保测量精度。同时，也可作为比较器或运算放大器的偏置电压源，提升系统线性度与稳定性。
在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居设备等，VDZT2R5.6B可用于USB接口的ESD保护与电压箝位、电池管理系统中的电压监测节点，以及低功耗MCU外围电路的稳压需求。其小尺寸封装非常适合高密度PCB布局，有助于实现设备轻薄化设计。
此外，在通信设备、电源适配器、DC-DC转换器反馈回路中，该齐纳二极管可用作误差放大器的参考元件或反馈网络的一部分，帮助实现输出电压的精准调控。在测试仪器和医疗电子设备中，因其出色的电压稳定性和低噪声特性，也被用作精密电压基准，保障测量结果的一致性与准确性。
MMSZ5V6T1G, BZT52C5V6, SZMMSZ5V6T1, ZMM5V6
