类型：GaAs HEMT FET
　　工作频率范围：2 GHz - 6 GHz
　　输出功率：典型 10 W（Psat）
　　增益：典型 18 dB
　　漏极电流（IDQ）：典型 300 mA
　　漏极电压（VDS）：典型 28 V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

TGA2572-2-FL 的核心特性之一是其基于 GaAs HEMT 技术的高性能晶体管结构，使其在高频下仍能保持出色的功率放大能力。该器件采用先进的热管理设计，具有良好的热稳定性和散热能力，能够在高功率条件下长时间稳定运行。
　　该器件的高线性度和低失真特性使其非常适合用于现代通信系统中的线性放大器设计，尤其是在 4G/5G 基站和宽带无线系统中。此外，TGA2572-2-FL 提供了宽频率响应，使其适用于多频段操作和宽带应用。
　　其表面贴装封装设计（SMD）便于自动化装配，适用于高密度 PCB 布局，同时支持高可靠性和可重复性。TGA2572-2-FL 的工作温度范围宽，可在恶劣环境下稳定运行，适合工业和军事级应用。
　　该器件还具有良好的匹配性能，输入和输出端口已经内部匹配至 50 Ω，简化了射频电路的设计和实现。此外，TGA2572-2-FL 在高温和高功率条件下表现出色，具有较长的使用寿命和高可靠性。

TGA2572-2-FL 主要应用于无线通信基础设施，如 4G/5G 基站、WiMAX 和 LTE 放大器，以及雷达系统、测试设备和工业射频加热设备。由于其高功率密度和良好的线性度，该器件特别适用于需要高输出功率和低失真的线性放大器设计。
　　在基站系统中，TGA2572-2-FL 可用于主功率放大器或驱动放大器，提供高增益和高效率的信号放大。在雷达应用中，它可用于发射机的高功率放大级，支持远距离探测和高精度测量。在测试设备中，该器件可用于构建高性能射频信号发生器和放大器模块，确保测试信号的稳定性和准确性。
　　此外，TGA2572-2-FL 还可用于宽带通信系统、卫星通信、军事通信和各种射频能量应用，如工业加热和等离子体生成。其宽频带特性使其适用于多种频段，支持灵活的系统设计。

TGA2572-2-SR、TGA2572-2-FLR、TGA2573-2-FL、TGF2572-EPU