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CS80N07A8 发布时间 时间:2025/8/1 14:42:56 查看 阅读:17

CS80N07A8是一款高功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于电源管理和转换领域。该器件由CST(Central Semiconductor Corp)或其他类似制造商生产,设计用于高效率、高频率开关应用。CS80N07A8具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于DC-DC转换器、同步整流器和电机控制等场景。该MOSFET采用TO-220封装,具备良好的散热性能,能够在高负载条件下稳定工作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:80A
  最大漏-源电压:75V
  导通电阻(Rds(on)):约3.5mΩ(典型值)
  栅极阈值电压:2V~4V
  最大功耗:160W
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C~175°C

特性

CS80N07A8 MOSFET的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。低Rds(on)使得器件在导通状态下功耗较低,从而提高了整体系统效率。其高电流能力允许在高功率应用中使用,如电源供应器和马达驱动器。此外,TO-220封装提供了良好的散热性能,有助于在高负载情况下维持稳定运行。该器件还具备快速开关特性,适用于高频开关电源设计,减少了开关损耗并提高了响应速度。CS80N07A8还具有较高的耐用性和可靠性,能够在各种工业和汽车环境中长期运行。

应用

CS80N07A8广泛应用于各类功率电子设备中,包括但不限于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流器、电机控制器和电池管理系统。它也常用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)系统和电动汽车充电设备。在汽车应用中,该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和电池管理系统(BMS)。由于其高效率和高可靠性,CS80N07A8在高性能电源设计中是一个理想的选择。

替代型号

IRF3710, STP80NF70, FDP80N07SL, SiHF80N07EY

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