时间：2025/9/14 14:12:45
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BST61,115 是一款由 NXP（恩智浦）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率的开关应用。该器件采用了先进的技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，适用于汽车电子、工业控制、电源管理和电机驱动等领域。BST61 系列 MOSFET 通常用于 H 桥驱动电路或高侧开关，具备良好的热稳定性和过载保护能力。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：11A
导通电阻（Rds(on)）：最大 60mΩ（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220、D2PAK（具体取决于型号后缀）
BST61,115 MOSFET 具备多个显著的技术特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作状态下器件的功率损耗较小，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件具备较高的电流承受能力，额定连续漏极电流为 11A，适用于中高功率应用场景。其最大漏源电压为 60V，可满足多种直流电机驱动、电源转换和负载开关的需求。
这款 MOSFET 还具备良好的热稳定性和快速的开关响应能力，减少了开关过程中的能量损耗，提升了系统的动态响应性能。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持常见的 10V 或 12V 驱动电平，便于与各类栅极驱动器配合使用。此外，BST61,115 采用了优化的封装设计，如 TO-220 或 D2PAK，有助于提高散热效率，延长器件寿命。
在汽车电子应用中，该器件具有良好的抗干扰能力和可靠性，适用于车载电机控制、电控单元（ECU）以及车身控制模块等场景。同时，其宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其能够在恶劣环境下稳定工作。
BST61,115 主要应用于汽车电子系统，如电动窗、座椅调节、风扇控制、电控锁等电机驱动场合。此外，它也广泛用于工业控制设备、直流-直流转换器、电源管理模块、H 桥电路以及高侧开关设计。由于其优异的开关特性和热稳定性，也适用于需要频繁切换或高负载电流的系统中。
IPD18N06S4-03, STD60N60M2, IRFZ44N
