SN74LVC821A 是一款高性能的同步静态 RAM (SRAM) 控制器芯片,适用于多种存储器管理应用。该器件支持突发模式操作,可显著提高数据传输效率。它兼容低电压 CMOS 工艺,具有低功耗和高驱动能力的特点,广泛用于计算机、网络设备以及消费类电子产品中。
该芯片能够与 SRAM 存储器无缝连接,并提供地址生成、数据路径控制和时钟管理等功能。通过预取和写缓冲机制,SN74LVC821A 能够优化系统性能并减少存储器访问延迟。
工作电压:1.65V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
最大时钟频率:166MHz
输入电容:8pF
输出驱动电流:24mA
传播延迟时间:4.9ns(典型值)
封装类型:TSSOP, QFN
SN74LVC821A 具有以下关键特性:
1. 支持突发模式读/写操作,提升数据吞吐量。
2. 提供独立的写使能控制引脚,实现灵活的数据写入。
3. 集成了地址计数器逻辑,减少了外部元件的需求。
4. 兼容低电压电源,适合便携式设备。
5. 内置上电复位功能,确保初始化状态稳定。
6. 提供快速建立时间和保持时间规范,适应高速系统设计需求。
7. 封装小巧,易于布局布线。
8. 静态电流极低,在待机模式下节省电能消耗。
SN74LVC821A 主要应用于需要高效存储器管理的场合:
1. 台式电脑和笔记本电脑中的缓存控制器。
2. 网络路由器、交换机和其他通信设备中的数据缓冲。
3. 数字电视、机顶盒等消费类电子产品的图像处理模块。
4. 嵌入式系统的本地存储扩展。
5. 工业自动化设备中的实时数据记录单元。
由于其高效的突发模式和低功耗特点,这款芯片非常适合对速度和能耗都有严格要求的应用场景。
SN74LV821A, SN74LVC821