时间：2025/8/1 14:11:27
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CS7N65A4TDY 是一款由华润微电子（CR Micro）推出的高性能、高可靠性的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件采用先进的沟槽式（Trench）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和优异的热稳定性，适用于多种电源管理与功率转换应用。CS7N65A4TDY 封装形式为TO-252（DPAK），适用于SMT（表面贴装技术）工艺，适合在空间受限的电路板设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：7A（在25℃）
导通电阻(Rds(on)：≤1.2Ω（在Vgs=10V）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
CS7N65A4TDY 的核心优势在于其出色的导通性能和高耐压能力。该器件采用先进的Trench MOSFET工艺，有效降低了Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。
其最大漏源电压可达650V，使其适用于高电压输入的开关电源（SMPS）、AC-DC转换器和LED驱动电源等应用。
此外，CS7N65A4TDY 的最大连续漏极电流为7A，在25℃环境下无需额外散热片即可满足中功率应用的需求，降低了系统设计的复杂性。
该器件还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。
TO-252（DPAK）封装形式不仅支持表面贴装工艺，提高了生产效率，也提升了器件在PCB上的机械稳定性，适用于自动化生产线和小型化设计需求。
CS7N65A4TDY 广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，例如：开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、适配器、电池充电器、电机控制电路、DC-DC转换器以及工业自动化控制系统等。
在LED驱动电源设计中，CS7N65A4TDY 可作为主开关管使用，提供高效的能量转换和稳定的输出控制。
在适配器和充电器中，该器件能够承受高输入电压并保持较低的导通损耗，从而提升整体能效。
此外，由于其优异的热特性和封装形式，CS7N65A4TDY 也常用于需要高可靠性和高稳定性的工业控制和自动化设备中。
SiHP07N65CFD、FQP7N65C、STF7NM65FD、CS7N65A4T、CS7N65A3TDY
