W02GB/P是一种双列直插式封装(DIP)的光耦合器,由Vishay Semiconductors制造。这种光耦通常用于电气隔离电路中的信号传输,具有良好的抗干扰性能和稳定性。W02GB/P内部包含一个红外发光二极管(LED)和一个光电晶体管,能够实现输入和输出电路之间的电隔离,适用于工业自动化、电源管理和通信设备等多种应用场景。
类型:光耦合器
封装类型:双列直插式(DIP)
通道数:1
输入电流(IF):最大60 mA
正向电压(VF):典型值1.3 V
集电极-发射极电压(VCE):最大30 V
集电极电流(IC):最大2 mA
电流传输比(CTR):50% - 600%
工作温度范围:-55°C至+125°C
绝缘电压:5300 VRMS
响应时间:通常为3μs(上升时间)和3μs(下降时间)
W02GB/P光耦合器的设计使其在电气隔离应用中表现出色,具有较高的绝缘电压,可有效隔离输入和输出端的高压部分,防止干扰信号的传播。其内部的LED和光电晶体管结构确保了快速的响应时间,适合用于需要高速信号传输的应用场景。此外,W02GB/P的CTR(电流传输比)范围较宽,提供了灵活的设计选择,适用于多种电路配置。该器件的封装形式为DIP,便于安装和焊接,适合在印刷电路板(PCB)上使用。W02GB/P还具备良好的长期稳定性和可靠性,能够在恶劣的工业环境中保持正常工作。
W02GB/P的另一个重要特性是其宽广的工作温度范围,使其能够在极端温度条件下稳定运行。此外,该光耦的高抗电磁干扰能力确保了在高噪声环境下的信号完整性。这些特性使W02GB/P成为工业控制系统、电源转换器、测量设备和通信接口等应用的理想选择。
W02GB/P广泛应用于需要电气隔离的电子电路中,例如工业自动化系统中的信号隔离、电源管理系统中的反馈控制、通信设备中的数据隔离以及测量仪器中的传感器信号传输。此外,它还可用于变频器、伺服驱动器和可编程逻辑控制器(PLC)等设备中,以提高系统的可靠性和安全性。在电力电子领域,W02GB/P常用于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的栅极驱动电路中,实现主电路与控制电路之间的隔离。在医疗电子设备中,该光耦也常用于确保患者安全和信号传输的稳定性。
TLP521-1, PC817, HCPL-2630