类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：180V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id @25°C：70A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.022Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散 PD：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

CS70-18 的核心优势在于其低导通电阻（Rds(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统效率。
　　此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力，在 25°C 下可连续通过 70A 的漏极电流，适用于高功率密度设计。
　　其 ±20V 的栅源电压耐受能力使其适用于多种驱动电路，增强了设计的灵活性。
　　器件采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于自然冷却或配合散热片使用的场合。
　　CS70-18 还具有较高的耐用性和热稳定性，可在恶劣的工作环境下保持稳定运行，如工业控制、汽车电子和消费类电源设备中。
　　由于其快速开关特性和低栅极电荷（Qg），CS70-18 非常适合用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提升系统响应速度。

CS70-18 常用于多种功率电子系统中，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
　　? DC-DC 升压/降压转换器（Boost/Buck Converter）
　　? 电池充电和管理系统（BMS）
　　? 高功率负载开关和马达驱动电路
　　? 工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统
　　? 太阳能逆变器和储能系统中的功率控制单元
　　该器件的高效率和高可靠性使其成为工业、汽车和消费类电子产品中功率管理的理想选择。

STP70NF18, IRF1405, FDP70N18, FQP70N18