时间：2025/12/28 18:39:45
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IS61C64B-10J 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款存储器属于高速CMOS SRAM，常用于需要快速存取和低延迟的系统中。其容量为8K x 8位，工作电压范围为2.3V至3.6V，适用于多种嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备。
容量：8K x 8位
电压范围：2.3V - 3.6V
最大访问时间：10 ns
封装类型：TSOP / SOJ / PLCC
工作温度范围：工业级 (-40°C 至 +85°C)
输入/输出电平：TTL兼容
读写操作：异步
封装引脚数：28/32/44
封装尺寸：依据封装类型不同而不同
IS61C64B-10J 是一款高速SRAM，具有出色的读写性能和稳定性。其最大访问时间为10纳秒，能够满足高速数据处理的需求。该芯片支持异步操作，使得其在与多种处理器和控制器配合使用时具备良好的兼容性。
此外，IS61C64B-10J 采用CMOS技术，功耗较低，在待机模式下电流消耗极小，有助于延长设备电池寿命。其TTL电平兼容设计也使其能够轻松集成到现有系统中。
该SRAM芯片提供多种封装形式，包括TSOP、SOJ和PLCC，方便在不同应用场景中进行PCB布局和安装。同时，其工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适合在恶劣工业环境下运行，具有很高的可靠性和稳定性。
IS61C64B-10J 主要应用于需要高速缓存或临时数据存储的场景，如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、通信模块、测试设备以及智能仪表等。由于其异步接口和高速存取能力，它也常用于与微处理器或微控制器配合，作为高速缓存或数据缓冲器使用。此外，该芯片在汽车电子、医疗设备以及航空航天等高可靠性要求的应用中也广泛使用。
CY62148BLL-45ZSXC, IDT7164SA10PFG, AS6C6264A-10STIN
