CS5N65A4 时间：2025/8/1 13:37:48 阅读：17

CS5N65A4 是一款由ONSEMI（安森美半导体）设计的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效功率管理的电子电路中。该器件采用先进的高压工艺制造，具有高击穿电压、低导通电阻和优异的热稳定性，适用于电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器以及各种电源管理应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK（根据具体型号）

特性

CS5N65A4 的核心优势在于其高压耐受能力和高效率的功率控制特性。其650V的漏源电压使其能够适应各种高压电路环境，同时具备较低的导通电阻，减少了功率损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　该器件的栅极驱动设计允许其在较宽的输入电压范围内工作，且具备较高的抗干扰能力，避免因电压波动而导致的误操作。CS5N65A4 还具备良好的热稳定性，在高温环境下依然能够保持性能稳定，适用于恶劣的工业环境。
　　由于其优异的电气特性和封装设计，CS5N65A4 在开关电源、电机驱动、LED照明和电池管理系统等领域得到了广泛应用。