CS5N65 时间：2025/8/1 23:13:45 阅读：20

CS5N65是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等高效率功率系统。CS5N65采用TO-220封装，便于散热并适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A（在TC=100℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W

特性

CS5N65具备多项优异的电气和物理特性，使其在中高功率应用中表现出色。首先，其高达650V的漏源击穿电压使其适用于高压系统，例如AC-DC电源转换器和PFC（功率因数校正）电路。其次，低导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。此外，CS5N65采用先进的平面工艺制造，具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，能够承受较高的瞬态能量冲击，提高器件的可靠性。
　　该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，方便与控制器IC或微处理器接口配合使用。TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。同时，CS5N65还具有较低的输入电容和开关损耗，适合高频开关应用，进一步提升系统效率和功率密度。
　　值得一提的是，CS5N65的可靠性和长期稳定性经过严格测试，适用于工业级工作温度范围（-55℃至150℃），能够满足各种严苛环境下的应用需求。

应用

CS5N65广泛应用于各类功率电子系统中，尤其是在开关电源（SMPS）、离线式AC-DC适配器、LED照明驱动电源、电池充电器、DC-DC转换器以及电机控制电路中表现优异。其高耐压特性和低导通电阻使其成为PFC（功率因数校正）电路中的理想选择，有助于提高电源系统的整体效率和稳定性。此外，该器件也可用于逆变器、不间断电源（UPS）和工业自动化设备中的功率开关控制。
　　由于其封装形式便于安装和散热管理，CS5N65也常用于消费类电子产品中的电源模块，例如电视电源、机顶盒和家用电器中的开关电源设计。在汽车电子领域，CS5N65可用于车载充电器和辅助电源系统，提供可靠的功率控制性能。