容量：2GB x4 / x8 / x16
　　类型：LPDDR4X SDRAM
　　封装类型：BGA
　　电压：1.1V / 0.6V（核心/IO）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C 或工业级标准
　　数据速率：3200Mbps / 4266Mbps（根据具体规格）
　　接口：JEDEC标准兼容
　　封装尺寸：根据具体封装形式而定（如130-ball或186-ball）
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　时钟频率：1600MHz / 2133MHz

H9TKNNN2GDAPLR-DNM作为一款高性能的LPDDR4X内存芯片，具备多项显著的技术优势。首先，其采用先进的DRAM制造工艺，实现了更高的数据传输速率，最高可达4266Mbps，大幅提升了系统整体性能。相较于LPDDR4，LPDDR4X通过降低IO电压至0.6V，显著减少了功耗，从而延长了移动设备的电池续航时间。
　　该芯片支持多种节能模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和时钟停止模式，进一步优化了在不同工作状态下的能效表现。同时，它具备良好的温度适应能力，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适用于各种严苛的工作环境。
　　H9TKNNN2GDAPLR-DNM采用BGA封装技术，确保了在高频操作下的电气性能稳定，减少了信号干扰和延迟。此外，其设计完全兼容JEDEC标准，便于系统设计者进行集成和替换。通过多路复用的地址/数据总线结构，该芯片能够在有限的引脚数量下实现高带宽访问，适合高密度内存系统的应用需求。
　　为了支持现代移动处理器的复杂内存管理，该DRAM芯片还支持突发长度（Burst Length）的动态调整、写入校正功能以及命令和地址信号的训练模式，以优化信号完整性和时序精度。

H9TKNNN2GDAPLR-DNM广泛应用于高端智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统（IVI）、智能穿戴设备以及需要高性能低功耗内存的嵌入式系统中。它特别适合搭载高性能应用处理器（AP）的设备，如支持AI运算、高分辨率显示、多任务处理等场景。该芯片还可用于边缘计算设备、工业控制系统和5G通信模块中，以满足高带宽与低延迟的需求。

H9HKNNNCTUMUFR-NM,H9HKNNNCTUMUDR-NM,H9HKNNN2GDAYDR-NM