时间：2025/8/1 16:21:21
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CS4N65A3HDY-TO251是一款由ONSEMI（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的高压工艺制造，具有优异的导通特性和开关性能，适用于高效率电源转换应用。TO-251封装形式使其具有良好的散热能力，适合中等功率级别的应用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：650V
连续漏极电流(Id)：4A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：典型值2.5Ω（最大值3.2Ω）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
功率耗散(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-251
CS4N65A3HDY-TO251采用先进的高压工艺，具有低导通电阻和优异的开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。其高击穿电压（650V）确保了在高电压应用中的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET具有较低的开关损耗和导通损耗，有助于提高电源转换效率并减少发热。TO-251封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适用于各种电源管理应用。
该器件还具有良好的抗雪崩能力和高耐久性，适用于严苛的工作环境。其栅极驱动特性稳定，适合与多种驱动电路配合使用。CS4N65A3HDY-TO251在设计上优化了短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下保持稳定工作。
CS4N65A3HDY-TO251广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、电池充电器以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。其优异的性能也使其适合用于高效率AC-DC电源适配器、光伏逆变器和家用电器中的功率管理模块。
FQP4N65C、IRF740、STP4NK65Z、2SK2545
