CS4N60A4H 时间：2025/8/4 17:53:23 阅读：15

CS4N60A4H是一款由COSMO（中国半导体）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高电流的应用场景。该MOSFET采用先进的平面工艺技术制造，具有优良的导通和开关性能，同时在高温环境下表现出稳定的可靠性。CS4N60A4H广泛用于电源管理、电机驱动、LED照明以及各类开关电源系统中。作为一款N沟道增强型MOSFET，CS4N60A4H能够承受高达600V的漏源电压（VDS），适用于多种高功率密度的设计需求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4A（@25℃）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　存储温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值1.8Ω（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：约1100pF
　　输出电容（Coss）：约300pF
　　反向恢复时间（trr）：约100ns

特性

CS4N60A4H MOSFET采用先进的平面工艺技术，具备优异的导通性能和较低的导通损耗，适用于高效率的电源转换设计。其低导通电阻（RDS(on)）特性能够显著减少导通时的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高负载条件下依然能够维持较低的温度上升，从而延长器件的使用寿命。
　　这款MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适用于需要高功率耗散的电路设计。其较高的栅源电压耐受能力（±20V）使得该器件在使用过程中对驱动电路的要求更为灵活，增强了设计的适应性。
　　CS4N60A4H的快速开关特性使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、逆变器和电源适配器。其较低的输入电容和输出电容有助于减少开关过程中的能量损耗，同时降低电磁干扰（EMI）的影响。
　　此外，该器件具有良好的抗雪崩击穿能力，能够在高压瞬态条件下提供稳定的性能。这一特性使得CS4N60A4H在工业控制和电机驱动等应用中具有更高的可靠性和稳定性。

应用

CS4N60A4H MOSFET主要用于高电压和高电流的功率电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、LED照明驱动电路、电机控制和功率因数校正（PFC）电路。在这些应用中，CS4N60A4H能够提供高效的功率转换性能，并在高温和高压环境下保持稳定的工作状态。
　　由于其高耐压能力和良好的导通性能，该器件还适用于工业自动化设备、家用电器和新能源系统中的电源管理模块。例如，在太阳能逆变器或储能系统中，CS4N60A4H可以作为主开关器件，提供高效、可靠的功率控制。
　　在LED照明应用中，CS4N60A4H可以作为LED驱动电路中的主控开关，确保稳定的电流输出和高效的能量转换。其良好的热稳定性和较低的导通损耗有助于提高LED灯具的整体能效和寿命。