时间：2025/4/29 15:48:56
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DMN2170U-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用微型封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品的负载开关、DC-DC 转换器以及同步整流等应用。
该 MOSFET 的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的导通性能，同时保持了出色的耐用性和稳定性。
最大漏源电压：30V
最大漏极电流：3.9A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极阈值电压：1.2V
总功耗：760mW
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：SOT-363
DMN2170U-7 的主要特点是其低导通电阻和小尺寸封装，这使得它成为空间受限设计的理想选择。此外，该器件在低至 1.2V 的栅极驱动电压下即可正常工作，进一步提高了与现代低电压系统的兼容性。
由于采用了先进的制造工艺，DMN2170U-7 提供了卓越的热稳定性和电气性能，确保在高频率或高负载条件下也能维持高效运行。
它的快速开关能力有助于减少开关损耗，并且 SOT-363 封装提供了良好的散热性能，适用于多种功率转换应用场景。
DMN2170U-7 广泛应用于各种需要高效功率管理的场景，包括但不限于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关
2. USB 接口保护及电源管理
3. 便携式设备中的电池充电控制
4. DC-DC 转换器中的同步整流
5. LED 驱动电路
6. 通用低侧开关应用
其紧凑的设计和高性能表现使其特别适合于对尺寸和效率有严格要求的产品中。
DMN2171U-7
DMN2990U-7
NTML017N03L
FDS6680
